反应腔是MOCVD*重要的部位，材料的特性与设备的好坏都由它决定。反应腔主要是所有气体混合及发生反应的地方，腔体通常是由不锈钢(带有冷却水回路)或是石英(太危险已成历史)所打造而成，而腔体的内壁通常具有由石英或是高温陶瓷所构成的内衬。在腔体中会有一个乘载盘(Wafer Carrier / Suscepetor)用来乘载基板，这个乘载盘必须能够有效率地吸收从加热器所提供的能量而达到薄膜成长时所需要的温度，而且还不能与反应气体发生反应，所以多半是用石墨所制造而成。(因为成长GaN需要NH3做为反应源，而NH3在高温时有腐蚀性所以石墨会镀上SiC保护。)加热器的设置，有的设置在反应腔体之内，也有设置在腔体之外。在反应腔体内部通常有许多可以让冷却水流通的通道，可以让冷却水来避免腔体本身在薄膜成长时发生过热的状况。
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钨合金加热片
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